Analog parameters of solid source Zn diffusion InXGa1−XAs nTFETs down to 10 K

نویسندگان
چکیده

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

A cryogenic analog to digital converter operating from 300 K down to 4.4 K.

This paper presents a cryogenic successive approximation register (SAR) based analog to digital converter (ADC) implemented in a standard 0.35 microm complementary metal oxide semiconductor (CMOS) process. It operates from room temperature down to 4.4 K, achieving 10.47 effective number of bits (ENOB) at room temperature. At 4.4 K, the ADC achieves 8.53 ENOB at 50 kS/s sampling rate with a curr...

متن کامل

‏‎a 10-bit 50-ms/s parallel successive-approximation analog-to-digital converter‎‏

‏‎applications such as high definition viedeo reproduction, portable computers, wireless, and multimedia demand, and ever-increasing need for ligh-frequency high-resolution and low-power analog-to-digital converters. flash, two-step flash, and pipeline convertors are fast but consume large amount of power and require large area. to overcome these problems, successive approximation converter blo...

15 صفحه اول

signal specific successive approximation analog to digital converter

چکیده: در میان انواع متفاوتی از مبدل های آنالوگ به دیجیتال که تا کنون معرفی شده اند، مبدل های آنالوگ به دیجیتال تقاریب متوالی(sar ) به علت سادگی ساختار و همچنین توان مصرفی کم، همواره یکی از پرکاربرد ترین مبدل های آنالوگ به دیحیتال در کاربرد های بایومدیکال بوده اند. به همین دلیل تاکنون روش های متعددی برای کاهش هرچه بیشتر توان مصرفی در این مبدل ها ارائه شده است که در اکثر آنها توجهی به مشخصات سی...

15 صفحه اول

Tailoring diffusion in analog spacetimes.

Diffusive transport is characterized by the scaling law (length)^{2}∝(time). In this paper we show that this relationship is significantly altered in curved analog spacetimes. This circumstance provides an opportunity to tailor diffusion: by a suitable design of the analog metric, it is possible to create materials where diffusion is either faster or slower than in normal media, as desired. Thi...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Semiconductor Science and Technology

سال: 2016

ISSN: 0268-1242,1361-6641

DOI: 10.1088/0268-1242/31/12/124001